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[求助] spectre中亚阈值区vdsat的理解

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发表于 2021-6-22 10:10:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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对于vdsat我的个人的理解是:该器件在当前的VGS偏置下,达到饱和电流(电流的最大值)时所需的最小VDS。

比较困惑的是,低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区,管子处于亚阈值区的时候,spectre也会给出一个vdsat的值,这时的vdsat该如何理解呢?
这种情况下,也需要使VDS大于vdsat来实现“稳定”的电流吗(即使不在饱和区)?

个人理解,如有错误还请前辈们批评指正,感激不尽!
发表于 2023-10-23 10:04:05 | 显示全部楼层


   
david_reg 发表于 2021-6-22 13:39
饱和区(Vgs>Vth)和亚阈值区(Vgs


请问这是什么资料
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发表于 2023-6-21 03:05:32 | 显示全部楼层
BSIM模型定义的 ID和VDS曲线斜率变为0对应的最小的VDS就是VDSAT
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发表于 2023-6-17 15:21:57 | 显示全部楼层
请问这是什么资料,求分享
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发表于 2022-11-7 15:15:17 | 显示全部楼层
亚阈值电流和饱和电流的本质是不同的:
MOS管强反型,且工作在饱和区时,沟道夹断点和漏级之间的漂移电流占总电流的主要部分;
       而弱反型时(亚阈值),源漏之间主要是少子扩散电流,他的公式与PN结的电流特性类似,因为两者同为扩散电流,故成指数率,但是亚阈值区是少子扩散,他的电流是比较小的。
       我对亚阈值的vdsat的理解是,亚阈值区MOS的导电方式和PN结类似,那么形成稳定的扩散电流还是需要一定的偏压的,拉扎维书上给到100mV左右,对于书上的式子我对这个ξ的作用还是有点疑问,希望大佬能帮忙解答一下。
       根据以上特性,我们得到了这样几个结论,当VGS与Vth之间的关系使MOS弱反型,那么VDS无论怎么变,MOS管要么截止,要么工作在亚阈值区,大大增大了信号的输入范围。也由于亚阈值电流是扩散电流,那么受沟道调制也比较小,电流稳定性也非常好。但是扩散电流的电流值很小,并且启动速度很慢,这也是亚阈值区带来的一些问题。
       以上是本萌新对亚阈值区的一些见解,希望对题主有帮助,也欢迎大佬补充。
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发表于 2022-9-2 17:15:58 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2022-4-25 14:27:06 | 显示全部楼层
谢谢,懂了
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发表于 2022-4-17 11:34:03 | 显示全部楼层


   
唐人 发表于 2022-3-31 19:10
你好,我思考了,但没有想出来,希望能够得到指导,怎么推的呢


公式中有一项1-exp(-Vds/VT),Vds大于3VT,这一项可以认为是1
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发表于 2022-3-31 19:10:22 | 显示全部楼层


你好,我思考了,但没有想出来,希望能够得到指导,怎么推的呢

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