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有一个芯片版图我有通过放power clamp将io power 跟 core power 分开, 原来版图上的VDDIO/VSSIO 电源线的宽度都有150um(m3/m4/m5各50um) . 其电阻值大概为3欧姆, 现在优化芯片减低成本, 我想把VDDIO/VSSIO 电源线的降到30um(省2层metal). 其电阻大概会到15欧姆到20欧姆 . 想请问ESD有没有问题 ?
我觉得电源线电阻虽然变大, 放电可能也会慢一点, 但是我有通过power clamp将io power 跟 core power 分开呀, esd静电电流应该不会流到内部器件, 因为我的内部器件的vdd/vss都是接power clamp出来的 core power . esd静电电流应该都只会在io区域流动, 不知道我理解的对不对? 想请问ESD有没有问题 ? 谢谢 |
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