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[原创] ESD对电源线的电阻值有没有要求?

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发表于 2018-2-25 16:42:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有一个芯片版图我有通过放power clamp将io power 跟 core power 分开,  原来版图上的VDDIO/VSSIO 电源线的宽度都有150um(m3/m4/m5各50um) . 其电阻值大概为3欧姆,  现在优化芯片减低成本,   我想把VDDIO/VSSIO 电源线的降到30um(省2层metal).  其电阻大概会到15欧姆到20欧姆 . 想请问ESD有没有问题 ?
我觉得电源线电阻虽然变大, 放电可能也会慢一点, 但是我有通过power clamp将io power 跟 core power 分开呀, esd静电电流应该不会流到内部器件, 因为我的内部器件的vdd/vss都是接power clamp出来的 core power .  esd静电电流应该都只会在io区域流动,  不知道我理解的对不对? 想请问ESD有没有问题 ? 谢谢
发表于 2024-12-4 15:21:35 | 显示全部楼层
感谢分享
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发表于 2024-10-4 19:02:26 | 显示全部楼层
你们做ESD设计的时候都不考虑钳位电压的吗?你们不会天真的认为ESD泄放一定只有唯一的你在关注的这一条路吧!!
如果你的电阻不加以控制,假设30Ω,在2KV的时候这里的电压是多少?40V以上啊!
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发表于 2023-10-12 09:56:18 | 显示全部楼层


   
crazyboy 发表于 2018-2-27 11:00
回复 3# layoutxyz


请问,这个是怎么估算的? 2000/1500,4000/1500得到电流吗?然后根据整条线的阻抗来算电压被抬到多大?
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发表于 2023-10-12 09:54:37 | 显示全部楼层


   
crazyboy 发表于 2018-2-26 10:43
因为我的内部器件的vdd/vss都是接power clamp出来的 core power。
这句话是什么意思?能否用示意图描述一下 ...


请问:“如果power rail寄生电阻太大,会导致IR dorp很大,会导致IO pin电压抬得很高,导致内部电路失效。”

这句话怎么理解?您的意思是说在CDM情形下,Current从内部出来,rail上阻抗大,到达IO pin的时候电压会拉的很高吗??
刚入门,不太懂,望解答,谢谢!
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发表于 2021-12-22 09:47:44 | 显示全部楼层
这个电阻要小于一个值,至于是小于1欧姆还是0.1欧姆要看工艺,工艺越小这个电阻也越小
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发表于 2018-7-15 15:21:25 | 显示全部楼层
听我们公司的专业人员说这个电阻要小于1欧姆。
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发表于 2018-6-30 21:25:05 | 显示全部楼层
业内有所谓的1/3定理的说法,其实就是TSMC给的建议。也就是0.13um及以上工艺,IO到POWE CLAMP的电阻要小于3欧姆

0.13以下的,要小于1欧姆。
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发表于 2018-6-7 19:31:17 | 显示全部楼层
学习了
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 楼主| 发表于 2018-3-9 12:17:05 | 显示全部楼层
你觉得阻抗最大 大到多少都没问题? 100欧姆左右应该也没问题吧
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