明明亚阈值区MOS管的跨导电流比最高，为什么运放里面还是用饱和区呢

nm2012

求助，thx~

kickit

DRV8301

学习

夜冷了

   

GenesisIC 发表于 2023-2-4 16:44
输入对管工作在亚阈值区offset和噪声都更小

实测发现，gm，offset，还有noise 和仿真数据不一致。

具体表现在，带宽偏小，offset 基本一致，这个主要归功于输入对管的共质心匹配，噪声偏大很多。
另外，在BSIM 4 model 里面有个Voff 参数，随着Vgt的减小，Voff 对失配的影响变大，
但一般来说，Vgt TT 设置到80mV 是一般设计的guideline，但是一些特殊设计里面，Vgt要求all corner大于0；
以上

GenesisIC

   

夜冷了 发表于 2022-6-18 01:33
这个问题，很久以前我也问过别人。得到过一些结论
1. 关于工作区，小电流也可以用倒比管工作在饱和区，不一 ...

输入对管工作在亚阈值区offset和噪声都更小

xiarongjun

楼主想说的是亚阈值区和强反型区吧

Sarahlln

   

夜冷了 发表于 2022-6-18 01:33
这个问题，很久以前我也问过别人。得到过一些结论
1. 关于工作区，小电流也可以用倒比管工作在饱和区，不一 ...

我最近搭了个简单的两级比较器，七管结构，亚阈值工作的话MC仿真基本就垮了，饱和区且VDS>VDSAT一定值，才能稳住MC

503860720

红红的西瓜

   

夜冷了 发表于 2022-6-19 20:11
就是你理解的那样，电流不变，将2/2 调整成4/1，然后vdsat 变小，假设此时仍然是饱和区，avth 对mismatch ...

学习了，相当于同样I下，相同面积，Vdsat做的大些，mismatch会好些，主要是考虑gmΔVth，因为Vdsat大（缺点有消耗电压余度），电流效率小，gm小，gmΔVth小；不过同面积的4u/1u应该比2u/2u尺寸上的匹配好些吧，长点的W可以拆成多个multiplier做匹配，可能这个面有个折衷？来让W/L的设置有个比较适合的值？

另外 ，关于”1. 关于工作区，小电流也可以用倒比管工作在饱和区，不一定电流小就一定工作在亚阈值区“，小电流下用倒比管，那跨导效率必然很小，也就是说这个电流下面只有很小的跨导，那么这样的管子适用于什么场景呢？

夜冷了

   

红红的西瓜 发表于 2022-6-19 15:59
请问一下“如果保持面积不变，降低vdsat，此时mismatch 应该会比较明显”这里的，保持面积不变，电流要不 ...

就是你理解的那样，电流不变，将2/2 调整成4/1，然后vdsat 变小，假设此时仍然是饱和区，avth 对mismatch贡献占主导；
则有vgs 变小，vdsat 变小，gm 增大，σ(vth)不变，对于电流镜，此时失调电流为gm*σ(vth),会变大；