明明亚阈值区MOS管的跨导电流比最高，为什么运放里面还是用饱和区呢

nm2012 · 发表于 2016-9-29 13:02:00

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求助，thx~

vlearner · 发表于 2016-9-29 13:59:46

我想可能有以下原因：
1、偏置在亚阈值区工作很难保证
2、亚阈值区工作的运放响应速度不快。
3、运放有些偏置考虑到噪声、匹配等并不希望工作在跨导电流比高的场合

math123 · 发表于 2016-9-29 14:08:20

亚阈值区的工艺变化应该会变大，MOS管工作在饱和区附近精度最高

hszgl · 发表于 2016-9-29 19:48:06

用亚阈值的多了去了。只不过考虑robust的问题，需要耐操性的一般都用饱和区。

夜冷了 · 发表于 2016-10-4 13:22:17

亚阈值区域说的是Vgs与VT，饱和区说的是Vgs-VT与Vds

ericking0 · 发表于 2016-10-4 16:59:49

低速低功耗应用用亚阈值还是比较常见的；
此外我的理解，虽然亚阈值的gm/Id相对较大，相同电流的gm大；
但是打个比方，w翻一倍，面积大一倍，电容大一倍，gm/Id假如从20到25，从速度ft来看还是吃亏的；

liuzexue · 发表于 2016-10-5 10:52:07

我觉得，最主要还是考虑了饱和区性能稳定，有点variations变化也不大。
亚阈值区电压波动一点，电流变化很大，恐怕不好设计。

vdslafe · 发表于 2016-10-5 18:48:25

回复 1# nm2012

你的亚阈值定义是啥？ op 显示的还是按照vdsat 来看？

wushixinjie · 发表于 2016-10-7 18:53:41

重点在偏差的估算和验证，采用蒙特卡洛模型验证。

沙河烟酒僧 · 发表于 2016-10-8 23:29:55

有时候需要工作在亚阈值区的运放，比如低压低功耗的BGR就很适合亚阈值的运放，电流小，功耗小，虽然牺牲了带宽，但是无妨。

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