想问一下inv，nand，nor之类的逻辑门的pcell的skill如何编写，已有mos管skill。

313844990 · 发表于 2015-6-16 10:25:16

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各位大神，想编写inv，nand，nor的pcell skill，但是没有思路，已有mos管pcell skill，请大神们帮忙。

阳平 · 发表于 2019-4-8 21:07:16

阳平发表于 2019-4-8 21:03
用dbLayerAnd函数

不好意思，看错你的问题了

阳平 · 发表于 2019-4-8 21:03:28

用dbLayerAnd函数

hccaiwh · 发表于 2019-1-15 10:10:27

楼主能看看你mos管skill怎么写的吗？非常感谢

baojiewu · 发表于 2018-12-25 16:50:38

能否共享一下你的MOS skill

lwq_119 · 发表于 2016-8-17 17:54:57

回复 7# shinefuture

你那里有这个工具吗？可与分享吗？

firewolf223 · 发表于 2016-2-23 21:04:52

不是有stdcell 吗？为什么要用pcell的方式？

shinefuture · 发表于 2015-11-26 09:02:47

cadence 有个工具叫 Pcell Designer 可以干这个事

wowmin · 发表于 2015-9-9 15:29:46

楼主为什么要做这个啊！是不是想取代关键路径上面的stdcell？达到最优，这个不容易的，不仅需要开发pcell还需要开发验证的流程，一个inv 的pcell都要写差不多2千行吧！几年前在原来公司做过。

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