个人对于高压、低压管子与hvt、lvt管子的一点想法

anothermomo · 发表于 2014-2-20 14:41:03

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电路设计中，hvt表示阈值电压Vt较高的管子，他们开启比较慢，漏电流小，功耗小（可通过掺杂重一点实现）；rvt表示Vt普通的管子，开启速度居中，漏电流居中，功耗居中；lvt表示Vt较低的管子，开启较快，漏电流大，功耗大（可通过较轻的掺杂实现）。
一块芯片根据供电电压的不同，分为低压区域，高压区域。比如我们说管子需要能承受3.3V的电压，指的是源端的电压，而实际上管子整体都在承受更高的电压。
在版图的安排中，先划分高低压区域，然后按Vt的不同排放管子。
个人的一点看法，欢迎大家指正！

风止于水 · 发表于 2025-3-2 14:15:25

学习了

zsh_layout · 发表于 2024-10-15 15:48:02

学习了

tuyunjing · 发表于 2024-9-14 14:31:54

那svt是什么

bubushenghua · 发表于 2024-7-14 19:33:20

qingyinnj 发表于 2014-3-29 20:28
请问楼主，那3.3V和1.8V的管子就是指两种管子的承压能力，那在3.3V下就不能用1.8V的管子？ ...

书上说：采用级联的方法可以在高压下使用薄氧化层器件。但是，电路设计者仍然倾向于使用厚氧化层器件。因为厚氧化层器件使设计变得简单。先进工艺制作的模拟电路往往使用厚氧化层晶体管。因为，在这种工艺下，薄氧化层会受到严重的沟道长度调制效应的影响，严重限制了工作电压。来自模拟电路版图的艺术。

yad379056987 · 发表于 2024-7-11 19:37:13

HVT是指3.3V的管子吗？

yangfan888 · 发表于 2023-7-7 09:07:12

学习学习

91xueic · 发表于 2023-6-14 16:16:10

Andyou 发表于 2023-6-13 16:10
hvt的掺杂浓度更高，以nmos为例，nmos坐在pwell里这里的掺杂应该也保函pwell 这里的n沟道如果需要导通， ...

掺杂浓度高，反型更困难，所以阈值电压高，我是觉得这么理解要简单些

BanKai · 发表于 2023-6-13 17:42:13

感谢分享

Lcy_001 · 发表于 2023-6-13 16:26:36

学习了

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