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[求助] 半导体先进工艺用metal gate的问题

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发表于 2012-4-24 05:16:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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用metal gate是防止原先poly gate的depletion效应,那metal 就没有"metal  depletion"效应了?为什么?
发表于 2024-4-10 13:24:34 | 显示全部楼层


   
xhwubai 发表于 2012-5-4 01:53
回复 4# wolffshen


都不是半导体,怎么耗尽?
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发表于 2013-12-2 10:35:11 | 显示全部楼层
好东西,赞一个
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发表于 2013-11-26 20:30:02 | 显示全部楼层
和功函数相关的一些东西。。。俺还要学习这方面的东西啊
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发表于 2013-10-7 22:34:34 | 显示全部楼层
THANKS A LOT
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发表于 2012-12-12 14:18:51 | 显示全部楼层
mos的gate为什么一开始用metal,后来用poly,再后来又用metal了?

polysilicon gate 的一个好处是可以耐高温处理
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发表于 2012-12-9 16:39:46 | 显示全部楼层
10楼讲的我感觉也有道理
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发表于 2012-9-2 16:59:30 | 显示全部楼层
metal gate 只在28才开始出现的,metalgate的leakage更小
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发表于 2012-7-23 01:17:57 | 显示全部楼层
4楼讲的很详细,谢谢。。。想下点东西要发好多帖子啊。
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发表于 2012-7-5 21:03:53 | 显示全部楼层
烦啊!!写了很多不见了。

可能跟自对准工艺有关,还有淀积的温度与栅极材料的温度有关。
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