两级运放中的米勒电容用mos电容代替出现的问题

金小龟 · 发表于 2013-6-29 20:01:12

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两级运放中的米勒电容用MOS电容代替后，带宽和相位都减小了。并且改变与与电容相连的电阻，对PM不怎么起影响。
。由于第二级运放栅和漏之间的压降只有0.3。所以我用的是NMOS电容，使它完全处于截止状态。。相当于是该电容处于积累区，
请高人指点。。。

semico_ljj · 发表于 2013-6-30 10:30:55

可以用NMOS嘛，你的衬底是隔离的？
除非你用three well NMOS

pigintree · 发表于 2013-6-30 10:49:13

用MOS电容，这么精确？

aqishisi · 发表于 2013-6-30 10:49:37

工艺支持可以用nativePMOS

金小龟 · 发表于 2013-6-30 20:05:33

回复 2# semico_ljj

请教下，什么是three well NMOS? 开始是用mim电容的。。嫌面积太大，所以想采用MOS电容试试。。

ives · 发表于 2013-6-30 22:04:00

NMOS栅源电压0.3V，这个时候电容是小的。衬底电位？

semico_ljj · 发表于 2013-6-30 23:17:26

MOS是四端器件，作为miller Cap 那么sub 接哪？？？

金小龟 · 发表于 2013-7-1 08:31:20

回复 7# semico_ljj

衬底接GND。。

金小龟 · 发表于 2013-7-1 10:30:59

回复 7# semico_ljj

我的NMOS电容衬底接地。则该NMOS处于耗尽区，容值很小。但衬底接源的话，工艺好像不支持。。

金小龟 · 发表于 2013-7-1 10:40:41

回复 7# semico_ljj

我后来采用了PMOS电容，使它工作在积累区，电路可以工作，但有一个问题不解，想再请教下。我增大PMOS电容的面积，运放的增益带宽积也增加，PM减小。。按理说，应该是相反的情况啊。不解。。。。想请教下。

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