Calibre提取寄生电容C的问题

选手实力非凡 · 发表于 2023-5-25 10:00:03

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最近使用SMIC SOI工艺在设计射频开关，后仿发现插损相比原理图变差了很多，从calibre提取的寄生参数来看，主要是由于开关MOS管源漏金属的寄生电容C很大所导致的。

我用的是C+CC模式，仔细看了一圈，我发现寄生电容C的另外一端都是连到一个叫做 0 的网络，如下图所示，不同网络之间的寄生电容互连导致开关插损变得很大。
问题在于SOI晶圆底层的衬底Si不应该是高阻态吗，软件直接将两个网络的寄生电容互连，这样仿真的结果准确吗？（用了其他几个SOI工艺，好像calibre都是按这种方式提取的），想听听大伙对于这个问题的高见。

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xdf666 · 发表于 2023-5-25 11:11:29

很有意义的问题，蹲解答。

随风飘荡 · 发表于 2023-5-25 13:19:33

可以在PEX options里面Netlist->Format->Ground node name设置你的衬底名称试试

追魂 · 发表于 2023-5-25 13:43:27

同问

pandaroy · 发表于 2023-5-25 14:02:03

你可以抽RCC试试呢，这样substrate的高阻态可以抽出来，否则substrate都会short在一起

选手实力非凡 · 发表于 2023-5-25 16:11:17

随风飘荡发表于 2023-5-25 13:19
可以在PEX options里面Netlist->Format->Ground node name设置你的衬底名称试试

这个操作我们也试过，无非是将网络0改成其他名字，这个寄生电容的互连是不会变的

选手实力非凡 · 发表于 2023-5-25 16:13:03

pandaroy 发表于 2023-5-25 14:02
你可以抽RCC试试呢，这样substrate的高阻态可以抽出来，否则substrate都会short在一起 ...

我试试，但是calibre是不能提SOI工艺衬底的电阻的吧

选手实力非凡 · 发表于 2023-5-26 08:45:26

顶一下，求大佬解答

pandaroy · 发表于 2023-5-26 09:08:07

选手实力非凡发表于 2023-5-25 16:13
我试试，但是calibre是不能提SOI工艺衬底的电阻的吧

这个要看fab的tech file支不支持，如果不能抽，那就默认是short在一起的

howardf · 发表于 2023-5-26 17:14:18

这个寄生实际不存在，应该用衬底阻抗网络(RC并联)取代图中net1和net2之间的寄生。
我认为产生这类问题的原因是寄生抽取工具不完全适用于特种工艺(高阻SOI)。

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