带隙基准设计，低温下输出突变问题

青野c · 发表于前天 20:21

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整体电路如图所示，比较器为输出自偏置的折叠运放，VDD为3.3V，在-30℃~-40℃区间内输出电压突然上升，再低温后又转为正常，在此区间内比较器的DC工作点不正常，这种一般要怎么调整呢？还请佬们指导指导

青野c · 发表于前天 20:25

仿真界面warning如图

houlang · 发表于昨天 12:03

你这是TSMC工艺吗？之前仿真有遇到过低温-33摄氏度仿真不收敛的问题，应该是工艺库模型问题，你增大温度扫描步长试试

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[求助] 带隙基准设计，低温下输出突变问题