高压boost的驱动电路如何设计

xdy609841687

目前pmic项目下需要实现一个高压boost，且boost的高压同步管只能用ndemos管，因为工艺的pdemos管阻抗太大，且ldmos的bulk接死无法切换bulk（boost无法关死），不接受使用p管做同步管，这样就存在n管的驱动电路如何设计的问题： ①boost要求静态功耗极低，也就是不接受cp产生一个常在的高压域，sleep模式下cp会关，但又要求瞬态要好，也就是空载变重载时要快速退出sleep打sw，极端情况下cp长期不补电遇到负载跳变等到他重新建立VCP的时间内瞬态掉的太多，也不能接受； ②而用bst-sw的做法产生高压域需要ton时给bst充电，toff时再被举上去，这样要维持bst高压域就必须sw，但是boost有downmode和bypass的需求，又不允许在直通模式下打sw，认为这样就不直通了； 那我脑子里实在没有其他架构能够实现：nmos同步管（面积小）、静态功耗极低（sleep）、负载跳变瞬态不能差（退出sleep进normal跳重载要快）、还在直通模式下不允许打sw（不能在直通模式下有补电动作）的高压boost驱动要怎么实现？有参考论文可以看看吗？大部分论文不拿这个当创新点，看了好多都没找到能用的结构。 ③顺带高压boost的valley_oc要怎么实现？我看有的是采样sw-vout直接往高压比较器里送，高压比较器开销也太大了，我想着分压到低压下再比较，vout倒是很强，但sw的采样点分压后精度被干扰比较严重，有什么好的实现结构吗

hgw94

观望一下，这要求确实不好做

youngabin

“又不允许在直通模式下打sw，认为这样就不直通了”意思是直通模式不能进行开关动作吗？固定一个很低的频率偶尔开启下管保证输出纹波在接受范围内应该没事吧。感觉大概率还是得靠BST电容

xdy609841687

   

youngabin 发表于 2025-10-30 11:59
“又不允许在直通模式下打sw，认为这样就不直通了”意思是直通模式不能进行开关动作吗？固定一个很低的频率 ...

如果没更好的方法的话，我是准备bst做的，还没到deadtime还是想更好的完成要求

adren

直通模式不能切换sw，可以用几uA的charge pump给上管充电，如果这个功耗可以接受的话。然后正常升压就用BST SW的电容。还有就是valley_oc是指的啥。。是电感电流过零检测吗

xdy609841687

   

adren 发表于 2025-10-30 13:52
直通模式不能切换sw，可以用几uA的charge pump给上管充电，如果这个功耗可以接受的话。然后正常升压就用BST ...

静态电流总功耗都要小于1uA，valley_oc指的是谷值限流，就是电感电流检测到某个值时才允许开上管，避免电感电流峰值太大

adren

   

xdy609841687 发表于 2025-10-30 14:51
静态电流总功耗都要小于1uA，valley_oc指的是谷值限流，就是电感电流检测到某个值时才允许开上管，避免电 ...

为啥不弄峰值限流呢，总功耗小于1uA，这挺有难度的，COT结构或者常规结构+PFM控制应该可以实现，cp功耗可以做小一点，反正也只是对BST充电