LDO设计问题

模拟cmos · 发表于 2025-5-30 17:34:08

求助一下有没有做LDO的大佬！

本人要设计一个capless LDO 输出电容1nF，输出电流在100ns内从1mA跳到100mA，LDO负载瞬态响应不好，请问大佬有没有好的想法，如何提高瞬态响应

zhb9103 · 发表于 2025-6-1 09:29:49

要求瞬态响应好，基本思路就是降低整个电路中的容感值，或者增大负载电流。基本思路是降低延时t=RC

东个隆冬呛 · 发表于 2025-6-1 11:29:15

画一下核心电路的结构

jiupiaowanli · 发表于 2025-6-1 16:07:05

zhb9103 发表于 2025-6-1 09:29
要求瞬态响应好，基本思路就是降低整个电路中的容感值，或者增大负载电流。基本思路是降低延时t=RC ...

但电容不适合psr正相关吗？

ipmsn5 · 发表于 2025-6-2 05:41:50

本帖最后由 ipmsn5 于 2025-6-2 05:46 编辑

你的这个问题比较值钱了，CapLess LDO，300mA，负载1nF，很难做了。一般来说1mA的负载需要10pF~ 20pF的电容。那么300mA的话，3nF~6nF比较符合工业界的范围。而且这个LDO算得上是比较高级的设计了。

这篇文章是我见过的最好的了。
加附件一直出错，只能放个名字在这里。

https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-1-4020-8944-2_18

semico_ljj · 发表于 2025-6-3 11:30:12

ipmsn5 发表于 2025-6-2 05:41
你的这个问题比较值钱了，CapLess LDO，300mA，负载1nF，很难做了。一般来说1mA的负载需要10pF~ 20pF的电 ...

seeing...

模拟cmos · 发表于 2025-6-4 10:06:59

ipmsn5 发表于 2025-6-2 05:41
你的这个问题比较值钱了，CapLess LDO，300mA，负载1nF，很难做了。一般来说1mA的负载需要10pF~ 20pF的电 ...

好的谢谢就是这个问题难到我了

模拟cmos · 发表于 2025-6-4 10:46:17

ipmsn5 发表于 2025-6-2 05:41
你的这个问题比较值钱了，CapLess LDO，300mA，负载1nF，很难做了。一般来说1mA的负载需要10pF~ 20pF的电 ...

您好我看了一下感觉好像还是不太行，有没有更具体的文章推荐没

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