光罩或光掩膜版(photomask or reticle)作为半导体制造(lithography process in SEMI wafer Fabrication)的重要精密制程工具,对静电影响(EFM & ESD)呈现显著的敏感度(180nm node or above),40nm node及以上的光罩在现实的光罩 Fab以及SEMI wafer Fab生产制程中的静电导致的问题已经非常突出,包括ESD导致的Chrome pattern损伤、EFM导致的chrome pattern形貌变异等。
图1:光罩Fab制程设备中典型的静电管控环节-传送取放(来源:Internet,如有侵权,请告知删除)