流片回来的BGR测不出结果

safu

组里之前流片回来的BGR测试分别5片2片没结果，5片3片没结果，怀疑是启动电路的问题，但是反复上电不能改变情况，后面加了启动电路也没有解决
电路结构为拉扎维书上的电流模带隙基准（听说这个结构容易出问题但既需要基准电流也需要基准电压）加了sansen的二阶补偿结构


版图是新手，也有可能是版图画的问题，拉到PAD的有VDD GND 电流输出 电压输出
这一次我想看看内部结点的情况，然后就把PMOS的栅拉到了PAD，然后这次流片回来测试全部没有结果，不上电和上电测出来端口只有几mV到十几mV电压
焊接的时候带了防静电手环
后面问了学长说是没有加ESD的原因，查了资料得知栅氧很脆弱，栅氧击穿后mos管等同断路所以测不到
请教下是不是所有的端口都得加ESD吗？比如BGR的输出是mos的漏输出，听说需要加ESD和限流电阻。
这次测不出来是静电击穿导致的吗？前面5片只有2片，5片只有3片会不会是BGR的输出或者是VDD，GND哪里没有ESD击穿导致的

jojenwong

IO的ESD应该是要加的
1. 首先测试的时候看看上电之后，VDD的输出电流情况，你说PMOS的栅端电压为低的话，就算运放没有工作，还是会走了一定电流；
2. 在右边电流的pin 焊接一个电阻到GND，上电后后查看电流是否增加，和查看此pin的电压，确认管子是否像你说的烧坏了

nanke

这种情况一般是esd问题，测异常芯片IO的IV曲线和正常芯片对比会有明显差异。

safu

jojenwong 发表于 2024-12-24 16:48
IO的ESD应该是要加的
1. 首先测试的时候看看上电之后，VDD的输出电流情况，你说PMOS的栅端电压为低的话，就 ...

忘记说了，当时是把5片并在了一起看电流情况，上电的一瞬间有2mA左右电流然后就没了，像是给电容充了个电一样

spartan313

gate 直接接PAD 确实不常见，BGR 输出没有analog IO 之类的的吗 ，起码有个back-2-back diode,

safu

spartan313 发表于 2024-12-24 17:08
gate 直接接PAD 确实不常见，BGR 输出没有analog IO 之类的的吗 ，起码有个back-2-back diode,  ...

感谢，前面没这方面经验，这个back-2-back具体做法是两个反偏PN结分别接到VDD和GND吗，如果用mos管做PN结尺寸应该怎么选合适呢，感谢！

spartan313

safu 发表于 2024-12-24 17:15
感谢，前面没这方面经验，这个back-2-back具体做法是两个反偏PN结分别接到VDD和GND吗，如果用mos管做PN结 ...

好问题 这个diode 一般有专门的CELL , 版图画法是 要满足ESD的 DRC rule, 具体得看你用的PDK ，然后diode 面积的取值可以在论坛在问问 这方面我不是很熟悉

rhett583

注意一下驱动能力，输出没加buffer，直接拉出去能不能驱动起来电压表内阻，你可以分别带20K-2Mohm 电阻负载仿真下看看