有关于NBL slot的问题

枭枭

各位大佬，想请教一下，高电压NLDMOS，有一层NBL Slot，是要对NBL挖槽，想请教一下，这样做的工作原理，有槽难道不会使得PSUB与外延短路吗？但电路中，外延和PSUB的电位是不同的，，到底怎么理解啊？麻烦大家解答一下，谢谢。

richardlee

richardlee 发表于 2024-12-24 13:51
NBL的浓度很高，slot后的更均匀，防止中间离子/电场高，周围越来越低

确实也主要体现在高压器件部分，减少了高压器件的电场集中，防止击穿提高耐压性能

acrofoxAgain

没遇到过，可以找工艺文档看看纵向结构。

richardlee

我记得slot后是减少NBL的离子浓度，不是那种CO孔

shanklin

richardlee 发表于 2024-12-24 09:31
我记得slot后是减少NBL的离子浓度，不是那种CO孔

请教一下大佬这样做的目的是什么呢/我看SMIC.18 BCD只有24/30V的NLD/NDE有这个slot，其他更低电压的就没有了。

richardlee

shanklin 发表于 2024-12-24 09:44
请教一下大佬这样做的目的是什么呢/我看SMIC.18 BCD只有24/30V的NLD/NDE有这个slot，其他更低电压的就没 ...

NBL的浓度很高，slot后的更均匀，防止中间离子/电场高，周围越来越低

枭枭

richardlee 发表于 2024-12-24 09:31
我记得slot后是减少NBL的离子浓度，不是那种CO孔

你好，有资料吗？可以分享一下吗？看了剖面图，看起来就是由NBL圈起来的P外延和PSUB直接短路了。。但是你这说法就觉得要靠谱一点。。不知道有没有资料分享一手

枭枭

acrofoxAgain 发表于 2024-12-24 09:02
没遇到过，可以找工艺文档看看纵向结构。

DM手册看了剖面，如果没有SLOT这一层，NBL直接将一部分P外延和PSUB隔开了，但是有了ｓｌｏｔ之后，剖面图看起来就是，NBL一块一块的，P外延和PSUB直接短路了

枭枭

richardlee 发表于 2024-12-24 13:54
确实也主要体现在高压器件部分，减少了高压器件的电场集中，防止击穿提高耐压性能
...

大佬，有资料或者文献或者链接可以分享一下吗？学习一下，谢谢了。