半导体Fab photomask静电防护的全流程管理思路

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  半导体制造Fab段中很重要的制程工具-photomask，对静电已呈现越来越高的敏感度，涉及到静电导致的Cr图案CD不良（EFM的累积效应导致Cr图案线距越来越小，ESD导致Cr图案的缺损乃至于桥接短路，静电吸附大致Cr图案上吸附制程环境中的airborne particle污染）。

  集成电路为代表的半导体器件，制程节点工艺从180nm发展至当今28nm-60nm为主的photomask Cr图案线距越来越小，是决定photomask静电敏感度越发提高的根本原因；
  LCD、AMOLED FPD为代表的半导体显示器件，制程节点工艺基本还停留在180nm以上的区间，但TFT photomask的Cr图案的超长结构，也使得TFT Fab中的photomask静电防护变得越发重要，其中以Gen6产线为代表的mobile FPD产品线，TFT photomask的静电导致的Cr图案击伤缺损与桥接在很多Fab厂时有发生。
  Photomask的静电防护系统，则须追溯至photomask工厂采用的静电防护包装是否足够有效，其影响到运输阶段的静电风险是否受控，最终主要的部分落在各Fab内的存放、转运以及lithography设备上下料过程的静电防护措施是否足够有效。