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[其它] 半导体Fab photomask静电防护的全流程管理思路

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发表于 2024-11-8 10:47:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 copper_hou 于 2024-11-8 11:03 编辑

  半导体制造Fab段中很重要的制程工具-photomask,对静电已呈现越来越高的敏感度,涉及到静电导致的Cr图案CD不良(EFM的累积效应导致Cr图案线距越来越小,ESD导致Cr图案的缺损乃至于桥接短路,静电吸附大致Cr图案上吸附制程环境中的airborne particle污染)。

  集成电路为代表的半导体器件,制程节点工艺从180nm发展至当今28nm-60nm为主的photomask Cr图案线距越来越小,是决定photomask静电敏感度越发提高的根本原因;
  LCD、AMOLED FPD为代表的半导体显示器件,制程节点工艺基本还停留在180nm以上的区间,但TFT photomask的Cr图案的超长结构,也使得TFT Fab中的photomask静电防护变得越发重要,其中以Gen6产线为代表的mobile FPD产品线,TFT photomask的静电导致的Cr图案击伤缺损与桥接在很多Fab厂时有发生。
  Photomask的静电防护系统,则须追溯至photomask工厂采用的静电防护包装是否足够有效,其影响到运输阶段的静电风险是否受控,最终主要的部分落在各Fab内的存放、转运以及lithography设备上下料过程的静电防护措施是否足够有效。
Full Image VIew of Electrostatics Impacts on photomasks in SEMI and FPD industries.gif
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