佬们，求助下efuse testkey测试条件相关问题，感谢！

lwwww · 发表于前天 15:10

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efuse的 ip在设计之初得知道efuse器件的编程电流，编程电压，编程时间这些信息，所以要测试一批efuse的testkey，但测试时不可能每个电压都测一遍，要选大约3个编程电压去烧，所以想问问佬们编程电压是咋选的，需要T-CAD仿真啥的吗？还有编程时间咋加的

chuchuang · 发表于前天 15:47

编程电压主要是电阻烧录后，识别电路反转点的问题，有看到可以用fuse调节的，电流和时间才是efuse 烧录后形成多大阻值的因素，很多带测试模式去筛选

lwwww · 发表于前天 18:23

chuchuang 发表于 2024-9-18 15:47
编程电压主要是电阻烧录后，识别电路反转点的问题，有看到可以用fuse调节的，电流和时间才是efuse 烧录 ...

确实编程电流和时间才是最重要的，电流应该是测试完后得出的结论，时间也只能尽量多测一些了。我看到一些efuse testkey的测试资料都是选3个编程电压去烧，但这个电压的选取我很费解，因为上边需要拿出依据，就绕不开tcad仿真这事，所以想问问大家在确定测试电压时有没有仿真过

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