为什么芯片大多数是P型衬底而不是N型衬底？

joker_zoker · 发表于 2024-4-29 19:29:51

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1,为什么芯片大多数是P型衬底而不是N型衬底？
  若芯片为N衬底，为保证PN结不反偏，就需保证P边电压永远低于N边，若芯片为N衬底，则Pmos管将直接做在N_substrate，而Pmos管的源漏端电压可能存在高低压，为防止PN结正偏，则N衬底的电压应永远高于pmos源漏端的电压，那这个接在N衬底上的电压在多电源域比较难控制！
  在p上做n+的扩散在工业上比在n上做p+的成本低。
  可以直接在p衬底上做nmos,nmos的速度亏啊（电子迁移速度快）。
2,耗尽型MOS管
N/P沟道耗尽型场效应管
  N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压Vgs=0时，沟道已经存在。其在制造过程中，预先在Sio2绝缘层中掺如大量正离子或者负离子，因此在Vgs=0时，这些正离子或者负离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子或空穴，形成N型导电沟道或者P型导电沟道，称之为初始沟道。只要源漏端添加电压，就会有漏极电流存在。
  native管
native mos为阈值电压接近为0的管子，实际也是耗尽管。工艺比较落后的耗尽管实在氧化层中掺杂例子使氧化层带电荷，从而使得该mos管未加电压就可导通。现代工艺技术是通过调整沟道掺杂来完成的。
  本征管是指做完mos管之后没有进行与之调整步骤，因此阈值接近于0v。随着corner和温度的变化，可以变成正德或者负的。耗尽管在Vgs=0是常开的，因此阈值是一个负值，一般不会变成正的，许特殊加工步骤。
  优点：native管一般用作电容，用作电容时比较稳定，一同与正常mos工作在亚阈值区时，电容会很小。
  用在LDO源跟随时，有效降低drop。
  由于不需要额外压降，在低压应用中，提高psrr。