求助MOS深N井工艺的衬底画法

fayekoko · 发表于 2024-4-21 17:02:08

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深N井工艺可以减小串扰用了N井隔离再画版图是不是NMOS要先用PW包围再深NW包围 NMOS的衬底接在PW上呢？

还有一个小疑问是看到EETOP上有前辈分享 MOS的衬底接触比如一个NW只需要接一个衬底接触就可以不需要每个MOS都衬底接触会浪费面积是不是画版图的时候也接一个N型保护环当接触呢

fayekoko · 发表于 2024-4-21 17:06:30

用的 TSMCN65 还有一点不明白的是 PW的电位和DNW的电位有什么讲究吗二极管正偏反偏等

李幕白 · 发表于 2024-4-22 09:00:29

问题1：是不是NMOS要先用PW包围  再深NW包围 NMOS的衬底接在PW上呢？
观点：是的，但是一般PDK的器件已经有完整的结构了，直接调用即可，如需手搓器件，需参考PDK器件剖面图。
问题2：一个NW只需要接一个衬底接触就可以  不需要每个MOS都衬底接触会浪费面积是不是画版图的时候也接一个N型保护环当接触呢？
观点：是的，接一个保护环，根据需求正确选择保护环形状，例如：环形，条形。
问题3： PW的电位和DNW的电位  有什么讲究吗
观点：这些肼的电位接什么需要根据实际电路图。

皮皮猪让你皮 · 发表于 2024-4-22 09:33:31

李幕白发表于 2024-4-22 09:00
问题1：是不是NMOS要先用PW包围再深NW包围 NMOS的衬底接在PW上呢？
观点：是的，但是一般PDK的器件已经 ...

第二点 nw只能是环状的吧，条形的不行吧要整体都围起来的吧

fayekoko · 发表于 2024-4-22 10:20:47

李幕白发表于 2024-4-22 09:00
问题1：是不是NMOS要先用PW包围再深NW包围 NMOS的衬底接在PW上呢？
观点：是的，但是一般PDK的器件已经 ...

太详细啦！！！谢谢您的指导非常有帮助

fayekoko · 发表于 2024-4-22 10:22:55

皮皮猪让你皮发表于 2024-4-22 09:33
第二点 nw只能是环状的吧，条形的不行吧要整体都围起来的吧

她的意思是保护环的形状哦

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