求助MOS深N井工艺的衬底画法

fayekoko

深N井工艺可以减小串扰 用了N井隔离   再画版图是不是NMOS要先用PW包围  再深NW包围   NMOS的衬底接在PW上呢？

还有一个小疑问是  看到EETOP上有前辈分享 MOS的衬底接触 比如一个NW只需要接一个衬底接触就可以  不需要每个MOS都衬底接触 会浪费面积   是不是画版图的时候也接一个N型保护环当接触呢

fayekoko

用的  TSMCN65   还有一点不明白的是  PW的电位 和DNW的电位  有什么讲究吗  二极管正偏反偏等

李幕白

问题1：是不是NMOS要先用PW包围  再深NW包围   NMOS的衬底接在PW上呢？
观点：是的，但是一般PDK的器件已经有完整的结构了，直接调用即可，如需手搓器件，需参考PDK器件剖面图。
问题2：一个NW只需要接一个衬底接触就可以  不需要每个MOS都衬底接触 会浪费面积   是不是画版图的时候也接一个N型保护环当接触呢？
观点：是的，接一个保护环，根据需求正确选择保护环形状，例如：环形，条形。
问题3： PW的电位 和DNW的电位  有什么讲究吗
观点：这些肼的电位接什么需要根据实际电路图。

皮皮猪让你皮

李幕白 发表于 2024-4-22 09:00
问题1：是不是NMOS要先用PW包围  再深NW包围   NMOS的衬底接在PW上呢？
观点：是的，但是一般PDK的器件已经 ...

第二点 nw只能是环状的吧，条形的不行吧  要整体都围起来的吧

fayekoko

李幕白 发表于 2024-4-22 09:00
问题1：是不是NMOS要先用PW包围  再深NW包围   NMOS的衬底接在PW上呢？
观点：是的，但是一般PDK的器件已经 ...

太详细啦！！！谢谢您的指导 非常有帮助

fayekoko

皮皮猪让你皮 发表于 2024-4-22 09:33
第二点 nw只能是环状的吧，条形的不行吧  要整体都围起来的吧

她的意思是保护环的形状哦