关于tsmc180的Memory Compiler，以及Memory Compiler生成的SRAM库和RegFile库的区别

Zwy303301659 · 发表于 2023-10-4 22:22:13

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最近打算用tsmc180nm做后端设计，系统中需要添加相应的SRAM的单元，需要有相应的伪双端口SRAM，发现180nm的Memory Compiler没有相应的IP，只能生成双端口SRAM和单端口SRAM，用双端口SRAM或者单端口SRAM再去改成伪双端口SRAM太麻烦了，但是180nm的Memory Compiler似乎只有这两种SRAM。这样的话用起来不太方便，还会有问题，所以将这部分替换成了Memory Compiler生成双端口的RegFile，它的行为符合伪双端口SRAM。但是这样去做设计会有什么问题？寄存器组和SRAM在后端里有什么区别？

andyfan · 发表于 2023-10-5 09:01:39

除了FUNCTION上的区别，物理上就是REG更快，其他CELL什么应该没区别；一直到28nm，REG才开始用专门的CELL，虽然之前也有人用，但比较少。因为那种CELL，发PAPER的时候就说明了是给28以后用的

Tang00 · 发表于 2024-4-16 16:00:12

现在reg file 和 SRAM 的compiler 的bit cell 会存在一些差别，体现在bit cell area 不同，但是对design 来说功能上是一样的

YHHHHH · 发表于 2024-5-9 14:09:16

老哥，能求一个TSMC180nm的2048x32bit的SRAM吗，我没有Memory Compiler，端口如图，十分感谢！

补充内容 (2024-5-14 23:20):
不用了老哥，同步fifo直接抄Verilog了

宋昱旸 · 发表于 2024-8-2 07:48:31

我目前也需要tsmc180nm的memory compiler，请问您的ip项目在哪里找到的

tapas · 发表于 2024-8-2 10:12:43

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