poly的density过高会怎样？

zhuxiaowu · 发表于 2022-7-29 13:41:33

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T55nm工艺，MOM电容自带衬底为poly，做电容阵列时poly的density过高了会怎么样？这个很难避免啊！还有就是T55nm工艺中自带的RF管和电阻之类的本身都过不了DFM,这个不用管的吗？

lo4my4 · 发表于 2022-7-29 14:28:57

density过高会影响良率吧应该，必须修掉的，可以通过摆稀疏一点来解决，牺牲一点面积；
至于DFM，工艺刚出来的时候良率低，打开DFM可以提高良率，但是工艺成熟之后就没必要打开了

zhuxiaowu · 发表于 2022-7-29 15:25:37

lo4my4 发表于 2022-7-29 14:28
density过高会影响良率吧应该，必须修掉的，可以通过摆稀疏一点来解决，牺牲一点面积；
至于DFM，工艺刚出 ...

电容阵列面积都195umX205um了，测了density都达到74%了。扩面积不得翻倍了？岂不是显得好空？

lo4my4 · 发表于 2022-7-29 19:05:25

你这74的密度，你也没法流片啊，不过我没做过55nm，不知道为什么会这样，我做过的工艺的3t mom没见过密度可以这么高的

zhuxiaowu · 发表于 2022-8-1 09:09:07

lo4my4 发表于 2022-7-29 19:05
你这74的密度，你也没法流片啊，不过我没做过55nm，不知道为什么会这样，我做过的工艺的3t mom没见过密度可 ...

这只是这个模块区域内的密度，就是阵列用了几百个电容，拉开距离的话就面积太大了

To70rO · 发表于 2022-8-1 10:51:09

电容的PCELL有没有隐藏dummyPO的选项？有的话隐藏起来自己插呗。不过这样的话器件模型参数会有偏差以及环境不怎么匹配，性能换面积，看取舍

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