关于深阱的问题

1029292401 · 发表于 2022-3-7 17:39:24

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采用了SMIC的深阱工艺，看工艺的版图，在DNW上面在做一个NW，然后在NW里面做P管，而n管直接在DNW层上做，想问一下一般N管不是做在PWELL里面吗，这里怎么直接在DNW上做了呢？

To70rO · 发表于 2022-3-7 17:48:18

用DNW就是为了单独隔离出一片干净的衬底，ＮＷ是在四周做成一个环的吧，你看一下剖面图就清楚了，ＤＮＷ＋ＮＷ像个碗一样围着一块Ｐ衬底，所以Ｎ管可以放在ＤＮＷ　ＮＯＴ　ＮＷ上做

1029292401 · 发表于 2022-3-7 19:21:44

To70rO 发表于 2022-3-7 17:48
用DNW就是为了单独隔离出一片干净的衬底，ＮＷ是在四周做成一个环的吧，你看一下剖面图就清楚了，ＤＮＷ＋ ...

可以理解为n管做在被dnw隔出来的衬底上吗

billgolden · 发表于 2022-3-7 20:02:53

DNW里可以做一个PW,Nmos做在这个PW里。

To70rO · 发表于 2022-3-8 09:38:33

1029292401 发表于 2022-3-7 19:21
可以理解为n管做在被dnw隔出来的衬底上吗

是的

ljh065216 · 发表于 2022-3-8 09:45:23

双井工艺和单井工艺，看刨面图，不要被一个工艺做多了，就思维僵化了

1029292401 · 发表于 2022-3-8 09:50:11

ljh065216 发表于 2022-3-8 09:45
双井工艺和单井工艺，看刨面图，不要被一个工艺做多了，就思维僵化了

好的，感谢

level90 · 发表于 2022-3-8 13:14:01

是因为版图里没有PW层？看下drc/lvs rule, 大概率PW是通过演算得出的，类似(DNW NOT NW)。实际就是把Nmos的衬底Pwell通过DNW跟基板PSUB分离了。

1029292401 · 发表于 2022-3-8 17:34:56

level90 发表于 2022-3-8 13:14
是因为版图里没有PW层？看下drc/lvs rule, 大概率PW是通过演算得出的，类似(DNW NOT NW)。实际就是把Nmos的 ...

没有PW层，应该是被DNW隔开了

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