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查看: 1844|回复: 8

[求助] 关于深阱的问题

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发表于 2022-3-7 17:39:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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采用了SMIC的深阱工艺,看工艺的版图,在DNW上面在做一个NW,然后在NW里面做P管,而n管直接在DNW层上做,想问一下一般N管不是做在PWELL里面吗,这里怎么直接在DNW上做了呢?
发表于 2022-3-7 17:48:18 | 显示全部楼层
用DNW就是为了单独隔离出一片干净的衬底,NW是在四周做成一个环的吧,你看一下剖面图就清楚了,DNW+NW像个碗一样围着一块P衬底,所以N管可以放在DNW NOT NW上做
 楼主| 发表于 2022-3-7 19:21:44 | 显示全部楼层


To70rO 发表于 2022-3-7 17:48
用DNW就是为了单独隔离出一片干净的衬底,NW是在四周做成一个环的吧,你看一下剖面图就清楚了,DNW+ ...


可以理解为n管做在被dnw隔出来的衬底上吗
发表于 2022-3-7 20:02:53 | 显示全部楼层
DNW里可以做一个PW,Nmos做在这个PW里。
发表于 2022-3-8 09:38:33 | 显示全部楼层


1029292401 发表于 2022-3-7 19:21
可以理解为n管做在被dnw隔出来的衬底上吗


是的

发表于 2022-3-8 09:45:23 | 显示全部楼层
双井工艺和单井工艺,看刨面图,不要被一个工艺做多了,就思维僵化了
 楼主| 发表于 2022-3-8 09:50:11 | 显示全部楼层


ljh065216 发表于 2022-3-8 09:45
双井工艺和单井工艺,看刨面图,不要被一个工艺做多了,就思维僵化了


好的,感谢
发表于 2022-3-8 13:14:01 | 显示全部楼层
是因为版图里没有PW层?看下drc/lvs rule, 大概率PW是通过演算得出的,类似(DNW NOT NW)。实际就是把Nmos的衬底Pwell通过DNW跟基板PSUB分离了。
 楼主| 发表于 2022-3-8 17:34:56 | 显示全部楼层


level90 发表于 2022-3-8 13:14
是因为版图里没有PW层?看下drc/lvs rule, 大概率PW是通过演算得出的,类似(DNW NOT NW)。实际就是把Nmos的 ...


没有PW层,应该是被DNW隔开了
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