SMIC65工艺passivation以及metal layer的问题

kylinx · 发表于 2021-12-21 14:32:49

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请教一下SMIC65两个工艺问题，
1.下图是不是表示SMIC65工艺必须有两层passivation？而不是客户可选的就像metal option那种，只选择一部分金属层次？

2. 1P6M_1TM和1P8M_1TM两种不同的metal option，TM在硅片里的物理高度是不是一样的？还是说TM是离最后一层薄层金属（分别是M6和M8）距离是一样的？

hzhou · 发表于 2021-12-21 17:15:21

1. 如果不做RDL，用PA1即可；如果做RDL，就需要用到PA1+PA2；
2. 记得T的处理方式，针对一种metal option，比如1P6M，top metal可以是u/z/r等不同厚度的金属层；S的工艺可看一下它的design rule手册；

bing_bing · 发表于 2021-12-22 14:10:12

1，不是必须有两层PA RDL 跟封装有关系可以根据需求去选择
2，TOpmetal 往往比中间层厚的，所以一般顶层电流能力比较其他强。具体厚度也是可以选的

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