有源区OD，是什么？

litong717

lijie5992373 发表于 2021-2-7 10:17
OD layer的flow实际上就是STI浅沟槽隔离的flow这样： OD PH--> OD Etch --> Oxide deposition .......有O ...

od区域要重新生长氧化硅做栅氧化层的，而且是要求很高的生长，用之前的牺牲氧化层来做栅氧化层有缺陷，有击穿风险。

825555056

谢谢大佬的回复

tfjim

litong717 发表于 2021-2-7 10:22
od区域要重新生长氧化硅做栅氧化层的，而且是要求很高的生长，用之前的牺牲氧化层来做栅氧化层有缺陷，有 ...

谢谢

小小书生

OD的氧化层要干长硬拔，其他区域的浇水就好啦！

tfjim

小小书生 发表于 2021-2-23 17:44
OD的氧化层要干长硬拔，其他区域的浇水就好啦！

你的比喻很形象

JacksonK

看了上面大佬的讨论，总结一下是不是：
1.有OD的地方需要长很强的氧化层，用于隔离上层金属或poly的接触，当然有contact的地方除外。
2.OD实际上是一种工艺流程标识，是对该区域生长强隔离作用的氧化层的标识，不是特殊物质层，因为没有形状的其他硅底也会长氧化层。
我有其他的疑问：比如tsmcn40的工艺，OD是不是还可以标识NP PP在哪里生成？之所以有这个疑问是因为PDK里面nmos的NP并不像我想象中的一样源漏隔开？

litong717

JacksonK 发表于 2021-11-30 11:52
看了上面大佬的讨论，总结一下是不是：
1.有OD的地方需要长很强的氧化层，用于隔离上层金属或poly的接触， ...

1.不明白你说的强氧化层是什么意思，如果你是指介电常数大之类的说明你的理解是错的。od（aa）的MASK所对应的区域会在gate制作之前去除牺牲氧化层最终生长一层非常薄（几nm）的几乎没有缺陷的一层SiO2,主要作用是确定了栅氧化层的厚度（Cox）以及做完gate poly之后在上面撒s、d所需要的注入（等离子注入，氧化层足够薄，注入可以直接穿过氧化层并推进到合适的深度）。od的反版全部是场氧化层，用于器件与器件间一定的隔离（这里有你说的强氧化层那味了），当然场氧化层具体的隔离形式不一，在这不做拓展。（实际工艺的步骤是先用od的反版生长场氧化层，od区域的薄氧化层不需要使用mask，场氧化层很厚，接下来的氧化亦或是注入、刻蚀等步骤几乎不会对它产生影响。）
2.np、pp是具体撒的物质。至于为什么s、d连在一起撒是因为gate poly先做，做好以后gate下面的od会被遮挡，而s、d外侧有场氧化层，因此直接整体撒下来，最后实际撒的区域就只有s、d。这一步也就是著名的自对准工艺。

moqqcn

OD 全称Gate Oxide and Diffusion;就是所谓的有源区，它包含两个部分，一部分是MOS管的源区和漏区，所谓的diffusion，还有就是沟道区，就是Gate Oxide下面的部分。当然了，为了确定有源区的导电类型，还要版图工艺层在外面加上PP或NP，分别代表P注入和N注入。
tips：OD表示oxide diffusion，tsmc是这种叫法。
其它foundry有叫ACT, AA等，都是指有源区。

David.Z

个人理解OD应该就是在氧化层上挖的洞，开个窗，这样离子注入就能朝里面注入电子了。

tfjim

David.Z 发表于 2024-1-4 14:29
个人理解OD应该就是在氧化层上挖的洞，开个窗，这样离子注入就能朝里面注入电子了。 ...