分享一个仿真器CMOS模型分段的典型现象

CWBBest

早就听说 .scs 文件里面CMOS模型是分段调用的，比如用60n的管子和600n的管子调用的实际上是不同的文件块，这些文件块对应不同的测量拟合结果。

今天由于想获得最小的vth用下面这个简单电路做了一下探究，结果保持W/L、VGS、VDS不变，单独改变L的时候可以明显发现分段的现象。图中的60n~100n、100n~1u、1u~4u可以明显看到调用了不同的模型。而且可以从图中看到所建立的模型就连续性而言并不是特别好（这还是TSMC的成熟模型呢，短沟道器件的模型建立任重而道远）。

vth仿真电路

vth仿真结果

CWBBest

话说这个仿真结果为什么和拉扎维书上给的趋势图不一样呢？

314835722

现代CMOS工艺的反短沟道效应，就在拉扎维那一章后面

老尤皮

学到了，谢谢分享

CWBBest

314835722 发表于 2020-12-8 11:20
现代CMOS工艺的反短沟道效应，就在拉扎维那一章后面

对啊，怎么了？

314835722

CWBBest 发表于 2020-12-8 18:44
对啊，怎么了？

反短沟道效应就是VTH随L增大变小，那章节的第一句话就是，你可以看看

CWBBest

314835722 发表于 2020-12-15 13:46
反短沟道效应就是VTH随L增大变小，那章节的第一句话就是，你可以看看

感谢，原来是第2版的新内容。
但是他之前第一版的叙述在第二版也没有删掉，前后引出了完全矛盾的结论，这如何理解呢？

314835722

CWBBest 发表于 2020-12-16 21:46
感谢，原来是第2版的新内容。
但是他之前第一版的叙述在第二版也没有删掉，前后引出了完全矛盾的结论，这 ...

工艺不同，这里的矛盾并不是在同一条件下得到的，纳米工艺多了个重掺杂，书上写得挺详细的。