cascode结构的GaN FET的优劣势？

newbie11 · 发表于 2020-6-11 08:27:09

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Cascode结构(Si MOS+D-mode GaN FET)理论上是不能发挥GaN器件高频，高温的特性，但为什么PI和NXP先后推出cascode的GaN管呢？这种结构和E-mode相比有和优势？（除了驱动可以用Si基MOS的以外）

newbie11 · 发表于 2020-8-10 10:04:03

顶顶顶

yezi1640 · 发表于 2023-12-14 14:38:15

顶顶顶，我也想知道

liaozhoulin · 发表于 2024-7-26 13:38:07

Dmode-HEMT更容易制造，动态电阻更小，还有规避一些Emode的专利问题，宜普都把英诺赛科告了

medalan129 · 发表于 2024-8-6 09:15:32

liaozhoulin 发表于 2024-7-26 13:38
Dmode-HEMT更容易制造，动态电阻更小，还有规避一些Emode的专利问题，宜普都把英诺赛科告了 ...

补充楼上，D-mode因为栅极简单，可靠性也更好，现在只有D-mode GaN敢宣称满足车规，并且在AEC-Q101基础上做了很多的加严测试。
动态电阻更小所以实际开关工作的时候，Rdson也许比E-mode会更好。虽然有反向恢复电荷，但整体D-mode方案的电路效率其实并不比E-mode低。

可以用Si的驱动，这个优点其实也蛮重要的

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