横向放置的电流镜的dummy该怎么加

zhizhuozxd · 发表于 2019-12-7 17:29:40

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本帖最后由 zhizhuozxd 于 2019-12-7 17:50 编辑

当需要匹配的电流镜的管子是横向放置时，dummy该怎么加？

迟京一 · 发表于 2019-12-7 17:46:10

如果电流镜精度要求不高的话，随便加吧，个数控制好了就可以了，反正电流已经和整体方向不一致了

zhizhuozxd · 发表于 2019-12-7 18:22:40

迟京一发表于 2019-12-7 17:46
如果电流镜精度要求不高的话，随便加吧，个数控制好了就可以了，反正电流已经和整体方向不一致了 ...

我是觉得如果是加在整体电流镜的两端（即最左边一个的gate端和最右边一个的gate端）的话不如不加了，这样加的话又没有起到多大作用，反而浪费了面积

迟京一 · 发表于 2019-12-11 10:30:18

zhizhuozxd 发表于 2019-12-7 18:22
我是觉得如果是加在整体电流镜的两端（即最左边一个的gate端和最右边一个的gate端）的话不如不加了，这样 ...

可以用来做冗余啊

zhizhuozxd · 发表于 2019-12-11 15:42:06

迟京一发表于 2019-12-11 10:30
可以用来做冗余啊

mos管的dummy一般都较小，就算改版一般都用不上。我倒觉得加了如果还把它的三端接到相邻的那个管子的gate端的话还会产生寄生电容，而且这种在gate端加dummy的方式没有起到dummy的真正作用，反而浪费了面积，得不偿失，所以如果是在两边加dummy的话我觉得不如不加

jueduilk · 发表于 2019-12-11 17:18:05

zhizhuozxd 发表于 2019-12-11 15:42
mos管的dummy一般都较小，就算改版一般都用不上。我倒觉得加了如果还把它的三端接到相邻的那个管子的gate ...

加上肯定有必要啊，对于匹配有要求的MOS，加上dummy 从工艺，应力，温度梯度上都可以改善匹配偏差。就按照你说的那种加dummy的方法没问题的，电流镜的gate上多一点儿电容，影响不大。

zhizhuozxd · 发表于 2019-12-12 09:02:50

jueduilk 发表于 2019-12-11 17:18
加上肯定有必要啊，对于匹配有要求的MOS，加上dummy 从工艺，应力，温度梯度上都可以改善匹配偏差。就 ...

我只知道加dummy的主要作用是保证多晶硅刻蚀速率一致，可以帮我讲一下加上dummy从工艺、应力、温度梯度上来讲是怎么改善匹配偏差的吗？

乐乐8 · 发表于 2019-12-12 14:36:35

我们用到的除过固定做optio当改版用的一般都不加，没有那么多面积加dummy

xdgua · 发表于 2022-1-25 14:33:33

有时候dummy会三端接到衬底电位，有时候三端短接到MOS管的某一端，不知道有什么差别？

91xueic · 发表于 2022-1-25 14:53:46

我觉得不用加，因为正常的mos管的poly的width方向是在有源区外多出一部分的，当mos管横向放置时，这部分就可以减小刻蚀引起的误差，起到dummy的作用

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