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查看: 2756|回复: 7

[求助] 运放的直接设计,

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发表于 2019-11-4 16:44:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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   如何根据spec和工艺设计出一块OP呢?关键是宽长比,功耗这些。。。怎么才能知道是不是合适呢?拉扎维的书说了一点,Allen上的书上则用了很多篇幅,看起来也不清晰,gm/id的设计方法知其然不知其所以然,只知道是等于2/Vov,这个合适,file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\SGPicFaceTpBq\8944\01A15A96.jpg是不是设计合适的宽长比?
发表于 2019-11-4 17:27:36 | 显示全部楼层
你的图片没用传上来。。。。
 楼主| 发表于 2019-11-4 18:05:57 | 显示全部楼层


空之晟 发表于 2019-11-4 17:27
你的图片没用传上来。。。。


要啥图片呀,就是带宽200MHz,增益>40dB,
 楼主| 发表于 2019-11-4 18:14:15 | 显示全部楼层


空之晟 发表于 2019-11-4 17:27
你的图片没用传上来。。。。


负载电流20u,负载电容100fF
发表于 2019-11-4 22:36:38 | 显示全部楼层
程序取决于所选的运算放大器架构,因为每种架构都会具有不同的零极点,压摆率,BW计算。
 楼主| 发表于 2019-11-5 09:15:48 | 显示全部楼层


AcoAco 发表于 2019-11-4 22:36
程序取决于所选的运算放大器架构,因为每种架构都会具有不同的零极点,压摆率,BW计算。 ...


如何设计保证工艺角所有的MOS管都在饱和区呢?
发表于 2019-11-5 22:22:40 | 显示全部楼层


M.S.Liao 发表于 2019-11-5 09:15
如何设计保证工艺角所有的MOS管都在饱和区呢?


Check all transistor operating conditions at the corners.
发表于 2019-11-7 11:54:16 | 显示全部楼层


M.S.Liao 发表于 2019-11-5 09:15
如何设计保证工艺角所有的MOS管都在饱和区呢?


根据spec,确定每个晶体管的电流大小和vdsat(或者gmoverid,这两个等效),就得到每个管子的宽长比了
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