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[求助] 加衬底接触环多可以防止噪声和闩锁效应,是怎末防止的??

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发表于 2019-10-19 12:20:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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加衬底接触环多可以防止噪声和闩锁效应,是怎末防止的??

发表于 2019-10-19 23:57:34 | 显示全部楼层
防止闩锁效应的原理好像是降低产生的寄生电阻
发表于 2019-10-21 12:19:43 | 显示全部楼层
防止latch up
发表于 2019-10-21 14:08:00 | 显示全部楼层
可以百度 Latch up发生机制,以及在发生闩锁效应界面加guarding ring之后会对latch up造成什么变化
发表于 2019-11-7 16:58:28 | 显示全部楼层
通过降低Rwell和Rsub的阻值
发表于 2019-11-8 22:23:12 | 显示全部楼层
衬底的阻抗大,一旦有漏电流流过,就会在这个电流路径上形成电位差,如果路径上的电位差让PN结顺向导通了,就有很大几率发生闭锁效应。即使没有闭锁效应,也会引发其他三极管导通,形成更大的漏电流,增加接触环,目的就是要降低电流路径上的电阻,使其无法形成PN结导通。
同样的电阻本身就是噪音的来源之一,电阻越小,噪音也越低。
发表于 2024-5-9 11:49:55 | 显示全部楼层
芯片上相邻的NMOS和PMOS会交换少子而触发latchup。保护环配合背栅接触孔可以吸收绝大部分的空穴和少子,从而使得寄生的双极型晶体管无法导通(BJT管导通的时候会形成一个正反馈电路,对电路影响十分大),这样可以保护电路正常工作,所以就叫保护环~
衬底连接区降低了对衬底的接触电阻,well连接区也同样降低了well的接触电阻,降低电阻的作用是防止well和衬底之间的寄生二极管出现正偏,导致latch up。并且电阻本身就是噪声之一,电阻减小,噪声也会减小。
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