Intel 22nm 3D/Trigate Transistors工艺问题

lijie5992373

wokaoman 发表于 2019-7-19 11:21
请教：HKMG中的high-k一般是HfO2，它是用什么方法沉积的？ALD吗。。。其中的metal gate是什么材料？一般 ...

HFO确实是用ALD长的，Metal Gate就是AL，先做amorphpous poly，昨晚Spacer和LDD，S/D之类的，在ILD前把amorphpous poly remove掉，在sputter AL->AL CMP 结束

wokaoman

lijie5992373 发表于 2019-7-19 17:17
HFO确实是用ALD长的，Metal Gate就是AL，先做amorphpous poly，昨晚Spacer和LDD，S/D之类的，在ILD前把am ...

那最后的铜互联呢？一般是用铜电镀还是PVD铜？印象中PVD铜不好刻蚀成线才发展铜电镀的吧？

lijie5992373

wokaoman 发表于 2019-7-29 09:14
那最后的铜互联呢？一般是用铜电镀还是PVD铜？印象中PVD铜不好刻蚀成线才发展铜电镀的吧？ ...

小伙子，40/28时代就是CU ECP了

wokaoman

lijie5992373 发表于 2019-7-29 11:06
小伙子，40/28时代就是CU ECP了

好的，谢谢前辈，哈哈

wokaoman

lijie5992373 发表于 2019-7-19 17:17
HFO确实是用ALD长的，Metal Gate就是AL，先做amorphpous poly，昨晚Spacer和LDD，S/D之类的，在ILD前把am ...

22nm工艺的metal gate是PVD沉积的5nm左右的TiAl吧？之后又用CVD沉积100nm的W钨，这个钨能算metal gate吗？

lijie5992373

wokaoman 发表于 2019-8-18 16:39
22nm工艺的metal gate是PVD沉积的5nm左右的TiAl吧？之后又用CVD沉积100nm的W钨，这个钨能算metal gate吗 ...

Metal gate其实是一堆金属材料的堆叠，并不能说TIAL就是metal gate， 它只是其中的一部分。你可以认为之前多晶硅poly去掉后，填入的金属都是metal gate的一部分，
HK: HFO+ILOX
NMOS metal gate stack： TIN+TAN+TIAL（NWFM）+W
PMOS metal gate stack： TIN+TAN+TIN（PWFM）+TIAL+W
pmos metal gate多的那一层是用来balance N/P MOS 功函数用的，平衡Vt

wokaoman

lijie5992373 发表于 2019-8-19 11:19
Metal gate其实是一堆金属材料的堆叠，并不能说TIAL就是metal gate， 它只是其中的一部分。你可以认为之 ...

谢谢，非常清楚了。

wokaoman

lijie5992373 发表于 2019-7-29 11:06
小伙子，40/28时代就是CU ECP了

一般集成电路的中的Cu靶材有什么用？主要是用来做铜电镀的种籽层？然后进行铜电镀？还有其他用途吗？