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[求助] 新人小白求助关于MOS管关闭的栅极电压说明

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发表于 2019-4-23 17:06:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xuwenwei 于 2019-4-23 17:09 编辑

对于NMOS来说,当Vgs=0的时候已经关闭了,为什么不Vgs设置的更负,关闭的更好呢?
   猜测1,为了不增加电压,不增加功耗;
   猜测2,如果well接VSS小于0,Vs接0,Vg可以接小于0但是大于Vss吗?




发表于 2019-4-23 17:25:58 | 显示全部楼层
vgs当然也可以接负,漏电会更小点。
但比如nmos的source接vss,gate一般最低就只能拉到vss了啊。
发表于 2019-4-23 20:30:23 | 显示全部楼层
哪来的负压呢?怎么产生?理论上都能想得到,关键版图你怎么实现?物理实现就很难了
发表于 2019-4-23 22:37:04 | 显示全部楼层
当然可以vgs为负,RF switch电路中就是这么干的。但产生负压并不容易,需要额外的电荷泵电路。
对于Vth几百mV的mos管来说,Vgs=0就完全关断了,没必要产生个负压。
还有个常用技巧不需要负压电荷泵:把souce/drain偏置到大于0的电压上,gate电压为0,这样Vgs也是负值。这种开关可以得到关断状态下的更小寄生电容。
 楼主| 发表于 2019-4-24 08:32:46 | 显示全部楼层


scpuke 发表于 2019-4-23 22:37
当然可以vgs为负,RF switch电路中就是这么干的。但产生负压并不容易,需要额外的电荷泵电路。
对于Vth几百 ...


谢谢大神解惑。

发表于 2019-4-26 14:49:47 | 显示全部楼层
可关注下 耗尽管,阈值电压与常规管子 就不同,各有用处。

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发表于 2019-5-2 10:45:09 | 显示全部楼层
用负电压是RF SWITCH比较常见的的,代价是需要额外的CHARGE BUMP, 功耗会大一些,TURN ON会慢一些。
4楼朋友说的“把souce/drain偏置到大于0的电压上,gate电压为0,这样Vgs也是负值”,是更简单方便的实现。
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