关于MOS 电容容值和一定偏置下电容值测量方法的问题

lanfan

最近在学习MOS Cap不同偏置下的仿真方法，遇到了些困惑，遂来请教


困惑在于：
假设一个NMOS电容，最终工作于MIS电容的正电压平坦的那段的状态，那么单位面积电容应该是Cox，其上电荷量应为Cox*V (1) ;
但是如果考虑整个充电过程，那么总的电压可以分解为N个ΔV，总的电荷应该为SUM(ΔV*C(ΔV*n)) n=1→N，即∫CdV (2) ;
由于在电压低于Vdd的时候，C(ΔV*n) < Cox
那么意味着第一个电荷值 > 第二个电荷值
这样明显两个结论互相矛盾，但是分开看貌似都有道理，到底哪个是错的呢？？？
我的想法是总电荷量应该是∫CdV，但通过理想压控电容仿真发现，充放电的电荷量满足第一种情况，所以很困惑。


基于以上困惑，针对MOS Cap的仿真方法又引申出问题：
如果想要使用CBCM的方法去测试一定偏置下的电容Cvbias,在MOS Cap的正极应该加什么样的波形呢？
1). 0 ~ Vbias 的方波
2). 以Vbias为中心的，小幅值的方波，比如(Vbias-0.1)~(Vbias+0.1)的方波