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[求助] 金属密度问题

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发表于 2015-10-26 21:05:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教各位大神对于金属密度不满足design rule要求的影响问题:
1.从帖子中了解到如果金属密度不均匀,会造成在metal进行平坦化处理时密度小的地方比密度大的地方更薄,从而影响芯片的平整度
对于这个我有个疑虑:这个针对铝工艺也成立吗?据我了解,铝工艺进行平坦化处理时应该是在介质层上进行机械抛光,不会将金属密度小的地方给磨薄,对于这一点请求详细的解释

2.金属密度不满足要求,对于整体芯片而言,金属密度过大,所需要刻蚀掉的金属就少,会导致过度刻蚀;而金属密度过小,所需要刻蚀掉的金属就多,会导致欠刻蚀。
这个的原因是否能有大神详细解释一下呢?本来我自己的理解是金属密度过大,那么刻蚀液将会注入得少,从而会导致欠刻蚀,正好与上面的说法相反;另外一种理解就是金属密度过大,那么需要刻蚀掉的金属少,从而在特定的时间里刻蚀一直在进行,从而导致某些不需要被刻蚀的地方呗刻蚀掉。不知道哪种理解是正确的,或者有另外的理解,求解释。
发表于 2015-10-27 05:43:15 | 显示全部楼层
你是做电路设计还是工艺研究?如果是电路设计的话,那么根据我的理解,无需去较真这些问题。工艺厂说怎么样,就怎么样。
 楼主| 发表于 2015-10-27 21:29:29 | 显示全部楼层
回复 2# Veriart
这些问题肯定影响芯片的良率,所以还是弄清楚比较好,还望指教!
发表于 2015-10-28 02:41:09 | 显示全部楼层




   不好意思,这个我也不懂。我们一般只需要满足DRC即可,密度会在代工厂自动填充,至于填到什么水平可以保证良率,这是一个代工厂应该去研究的问题。
发表于 2015-10-28 08:50:17 | 显示全部楼层
做模拟的就不要那么在意,模拟所用的工艺,金属密度对良率的影响非常小
 楼主| 发表于 2015-10-31 09:18:44 | 显示全部楼层
回复 5# dinggo

有没有大神能解释下,怎么影响良率的啊?论坛里有做工艺的吗?
发表于 2015-11-18 14:35:24 | 显示全部楼层
内容cmp主要针对铜工艺,一般铝不提cmp。cmp需要整体涂一层研磨液,recipe有规定研磨时间。假设密度差别较大,则在密度小的区域和密度好的地方时间肯定不一样。在正常时间下,明明密度高的地方已经研磨好了,到时间没到会继续研磨。所以会过度刻蚀
发表于 2024-3-19 14:56:55 | 显示全部楼层
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