金属密度问题

sunny_yangfeng

请教各位大神对于金属密度不满足design rule要求的影响问题：
1.从帖子中了解到如果金属密度不均匀，会造成在metal进行平坦化处理时密度小的地方比密度大的地方更薄，从而影响芯片的平整度
对于这个我有个疑虑：这个针对铝工艺也成立吗？据我了解，铝工艺进行平坦化处理时应该是在介质层上进行机械抛光，不会将金属密度小的地方给磨薄，对于这一点请求详细的解释

2.金属密度不满足要求，对于整体芯片而言，金属密度过大，所需要刻蚀掉的金属就少，会导致过度刻蚀；而金属密度过小，所需要刻蚀掉的金属就多，会导致欠刻蚀。
这个的原因是否能有大神详细解释一下呢？本来我自己的理解是金属密度过大，那么刻蚀液将会注入得少，从而会导致欠刻蚀，正好与上面的说法相反；另外一种理解就是金属密度过大，那么需要刻蚀掉的金属少，从而在特定的时间里刻蚀一直在进行，从而导致某些不需要被刻蚀的地方呗刻蚀掉。不知道哪种理解是正确的，或者有另外的理解，求解释。

Veriart

你是做电路设计还是工艺研究？如果是电路设计的话，那么根据我的理解，无需去较真这些问题。工艺厂说怎么样，就怎么样。

sunny_yangfeng

回复 2# Veriart
这些问题肯定影响芯片的良率，所以还是弄清楚比较好，还望指教！

Veriart

回复  Veriart
这些问题肯定影响芯片的良率，所以还是弄清楚比较好，还望指教！
sunny_yangfeng 发表于 2015-10-27 21:29

                               
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   不好意思，这个我也不懂。我们一般只需要满足DRC即可，密度会在代工厂自动填充，至于填到什么水平可以保证良率，这是一个代工厂应该去研究的问题。

dinggo

做模拟的就不要那么在意，模拟所用的工艺，金属密度对良率的影响非常小

sunny_yangfeng

回复 5# dinggo

有没有大神能解释下，怎么影响良率的啊？论坛里有做工艺的吗？

sunnyliu2008

内容cmp主要针对铜工艺，一般铝不提cmp。cmp需要整体涂一层研磨液，recipe有规定研磨时间。假设密度差别较大，则在密度小的区域和密度好的地方时间肯定不一样。在正常时间下，明明密度高的地方已经研磨好了，到时间没到会继续研磨。所以会过度刻蚀

weouyop0

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