sentaurus sprocess pHEMT 工艺仿真

tsyijiuyt · 发表于 2015-5-17 19:34:07

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有人用sprocess仿过 pHEMT 么？感觉跟硅工艺差别很大啊。本人接触sentaurus 没多久，再次求教。仿真过程中主要有以下几个问题：
（1）除了substrate 层，GaAs，AlGaAs 和 InGaAs等层都是deposit 上去的么？相关材料的参数怎么设置？
我尝试deposit 上去，主要遇到以下几个warning:
(a) no thermal expansion coefficient change rate for substrate material given. Assuming silicon
(b) Missing mechanical parameter for InGaAs(defaults applied instead)
（2）离子注入还是用 implant，常数掺杂怎么实现？delta 掺杂又如何实现？

weibobum · 发表于 2015-12-25 15:30:03

对于化合物半导体，软件无法实现工艺仿真，只能进行器件仿真

疯子的疯子 · 发表于 2016-1-15 10:19:21

请问楼主关于sentaurus sprocess pHEMT仿真的问题有解决吗？

Vct · 发表于 2016-4-13 14:58:54

好像化合物半导体真的不能仿真~

hadeheng · 发表于 2016-6-21 14:29:53

跟楼主顶贴。

14102058 · 发表于 2019-5-5 16:15:49

sprocess是不能仿真的

hehe1111 · 发表于 2019-5-5 20:38:50

用Sentaurus Device Edit仿

swimming1979 · 发表于 2023-10-11 20:54:08

可以仿真的，我在做化合物探测器，和你遇到的问题一样，命令比较麻烦，2016版本提供了一个例子，命令行比较繁琐，但是一定是可以做的

swimming1979 · 发表于 2023-10-12 09:53:09

Sentaurus2016 里头有一个叫“TrigateNMOS_InGaAs“的例子，在自带的例子库FinFet下面，照着里面的说明文档修改，应该是可以的，化合物的外延工艺不能用Sprocess默认的，那个只针对硅，不能用同样的方法沉积InGaAs等，需要特殊的命令，例子里头都有讲到了，
化合物的工艺是比较麻烦，但是和硅本质上也只是材料参数不同，你参考下例子一定应该能做出来

[求助] sentaurus sprocess pHEMT 工艺仿真

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