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[原创] 非对称高压LDMOS N管的S端和衬底B是不是必须接最低电位?

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发表于 2014-11-3 22:16:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏54资产已解决
本帖最后由 istart_2002 于 2014-11-3 23:08 编辑

非对称高压LDMOS N管S端和B端必须接最低电位,P管的S、B也必须接起来?不能叠起来用?(比如三输入与非门的上边两个N管)

最佳答案

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回复 1# istart_2002 一般非对称Nmos S-B 间是低耐压 , 且S端不耐高压, 要耐高压请改使用 high side nmos 类 mos.
发表于 2014-11-3 22:16:54 | 显示全部楼层
回复 1# istart_2002


   

一般非对称Nmos
S-B
间是低耐压 , S端不耐高压, 要耐高压请改使用 high side nmos mos.

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发表于 2014-11-4 14:53:40 | 显示全部楼层
一般LDNMOS的S和背栅都是短接在一起的吧,这种情况下就看背栅和PSUB是否隔离了
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发表于 2019-3-21 14:48:18 | 显示全部楼层
最近也有同样的疑惑,因为结构要求asym PMOS的s和b必须分开接,改用其他类型的管子又不满足性能的要求,很纠结。
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