LDNMOS版图结构改进

gao2004j · 发表于 2014-8-1 09:25:41

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大家好：
在使用BCD工艺中，LDMOS作为功率输出占用很大版图面积。有没有办法将LDMOS版图pcell结构修改，减小版图面积同时对ESD影响比较小（作为功率输出没有使用单独ESD保护结构）。
比如：MOS管作为功率输出时，我们可以使用曲栅、华夫饼等结构。那么LDMOS可以使用别的版图结构吗？毕竟LDMOS结构比较特殊，与一般mos不一样。
有没有高手做过这方面改进，给点建议！

非常感谢！

gao2004j · 发表于 2014-8-1 13:57:22

没人修改过吗！

水牛 · 发表于 2014-8-2 23:46:47

你既然说是LDMOS，那你就要小心了。你需要和foundary沟通了。耐压结构导通电阻不是你想改就能改的

[求助] LDNMOS版图结构改进

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