NEC guard ring 有问题

jyfzrzhl1988

各位好：    我现在正在使用nec的BCD350GE这个工艺，这是个.35的bcd工艺，我发现这个工艺库里面所有的isolation ring全是P+的，不知道是我理解错误还是怎么回事？
    而且这个工艺居然没给PAD，不知怎么回事？
    有人知道么？谢谢。

licao0124

nec工艺里的pad应该是cover层，isolation ring是P+应该不会错，看单个器件的剖面图就可以

jyfzrzhl1988

回复 2# licao0124

可能是我没解释清楚：1、关于第一点。我觉得按照工艺库里的isolation ring我没法画guard ring。


根据规则文件DM-BE35-0970-007第十五页，pch的器件应该先画一圈N+的guard ring，再画一圈isolation ring。nch的器件应该先画一圈isolation ring再画一圈guard ring。这里面我觉得就有些问题。


1>举个例子，如果我用80个sphd30作为输出口的pch。我想为pch打guard ring。那么我就得先画一圈N+的guard ring，再画一圈isolation ring。但是参考DM-BE35-0820-007的sphd30的器件结构，他的isolation ring直接就打在器件外围，根本没留下guard ring的空间。


2>规则文件DM-BE35-0970-007第十五页说N+的guard ring应该由NBL 、Nwell、NP、Active等层组成。但是根据规则文件 DM-BE35-0820-007第38页，NBL层必须被isolation ring环绕。拿nch举个例子，如果我要打guard ring，就得先画一圈isolation ring，然后画一圈guard ring，因为guard ring包含NBL这层，NBL必须被isolation ring包围，那我又得再画一圈isolation ring喽？


3>一般打guard ring，guard ring围绕的器件一般只有N阱或者P阱，但是参照DM-BE35-0821-007的sphd30的器件结构（78页），他里面既有N阱又有P阱，这个应该怎么处理？


2、关于第二点，我还想请问下您，工艺库里面的ESD器件，比如24VNM、PM这些器件能直接调用它的版图么？感觉他的版图跟我以前用的ESD结构相比也太简单了吧。

lianaissmec

要结合整个工艺文档来看，才能有个比较清晰的回答

九七~

请问现在有答案了吗？我也想知道，我也遇到这个困扰了

fei_SH

HHNEC的BCD350GE吗？