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查看: 4485|回复: 5

[求助] NEC guard ring 有问题

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发表于 2014-4-12 20:36:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位好:    我现在正在使用nec的BCD350GE这个工艺,这是个.35的bcd工艺,我发现这个工艺库里面所有的isolation ring全是P+的,不知道是我理解错误还是怎么回事?
    而且这个工艺居然没给PAD,不知怎么回事?
    有人知道么?谢谢。
发表于 2014-4-15 15:57:49 | 显示全部楼层
nec工艺里的pad应该是cover层,isolation ring是P+应该不会错,看单个器件的剖面图就可以
 楼主| 发表于 2014-4-17 09:06:31 | 显示全部楼层
回复 2# licao0124

可能是我没解释清楚:1、关于第一点。我觉得按照工艺库里的isolation ring我没法画guard ring。


根据规则文件DM-BE35-0970-007第十五页,pch的器件应该先画一N+的guard ring,再画一isolation ring。nch的器件应该先画一isolation ring再画一guard ring。这里面我觉得就有些问题。


1>举个例子,如果我用80个sphd30作为输出口的pch。我想为pch打guard ring。那么我就得先画一N+的guard ring,再画一isolation ring。但是参考DM-BE35-0820-007的sphd30的器件结构,他的isolation ring直接就打在器件外围,根本没留下guard ring的空间。


2>规则文件DM-BE35-0970-007第十五页说N+的guard ring应该由NBL 、Nwell、NP、Active等层组成。但是根据规则文件 DM-BE35-0820-007第38页,NBL层必须被isolation ring环绕。拿nch举个例子,如果我要打guard ring,就得先画一isolation ring,然后画一圈guard ring,因为guard ring包含NBL这层,NBL必须被isolation ring包围,那我又得再画一圈isolation ring喽?


3>一般打guard ring,guard ring围绕的器件一般只有N阱或者P阱,但是参照DM-BE35-0821-007的sphd30的器件结构(78页),他里面既有N阱又有P阱,这个应该怎么处理?


2、关于第二点,我还想请问下您,工艺库里面的ESD器件,比如24VNM、PM这些器件能直接调用它的版图么?感觉他的版图跟我以前用的ESD结构相比也太简单了吧。
发表于 2016-2-24 17:37:39 | 显示全部楼层
要结合整个工艺文档来看,才能有个比较清晰的回答
发表于 2024-10-14 16:11:42 | 显示全部楼层
请问现在有答案了吗?我也想知道,我也遇到这个困扰了
发表于 2024-10-14 17:18:53 | 显示全部楼层
HHNEC的BCD350GE吗?
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