90nm的模拟电路设计相比于0.18um的难度在哪儿？

hhuangyying · 发表于 2008-9-13 09:28:39

（1）低电源电压，导致很多电路必需采用high swing结构；
（2）大的漏电流，导致power down电路的设计难度加大；
（3）小的Lenth会导致打得offset，所以在设计的时候器件的最小lenth选择上也要注意；

ichiomi · 发表于 2008-9-28 02:22:24

gate capacitor

equantum · 发表于 2008-9-28 09:59:04

深亚微米的模拟设计还是大有挑战阿

accel30 · 发表于 2010-12-14 13:10:41

thanks

suzon · 发表于 2010-12-14 14:17:16

学习了，我只知道leakage很重要，现在一直在看有关power-domain方面的资料，不好找呀。

istart_2002 · 发表于 2017-2-21 16:43:36

1) supply voltage is only 1V
2) poor r0
hyy95120 发表于 2007-3-2 02:59

登录/注册后可看大图

是啊 bandgap输出1.2V,那怎么通过LDO产生1.2V供电呢？

istart_2002 · 发表于 2017-2-21 16:45:57

我觉得阿
寄生比较重
电源电压低
漏电大
更要注意匹配
aww 发表于 2007-11-24 00:15

登录/注册后可看大图

如何用1.2V的基准，通过LDO，产生1.2V的供电呢？

istart_2002 · 发表于 2017-2-21 16:55:40

90nm的基准电路一般都采用什么结构啊?
zhaoguolll 发表于 2008-9-8 11:55

登录/注册后可看大图

90nm的基准输出还是1.2V?

lyf7293723 · 发表于 2020-1-22 23:26:52

学到了多谢！

站长推荐 /2