一个POR的问题

istart_2002 · 发表于 2013-6-3 15:47:27

本帖最后由 istart_2002 于 2013-6-3 16:36 编辑

怎么求得NM35端翻转对应的VDD翻转电平？跟http://bbs.eetop.cn/thread-399222-1-1.html有什么区别？

typhoon222 · 发表于 2013-6-3 15:47:28

。。。

天牛不唱歌 · 发表于 2013-6-3 16:40:34

开始时候下面两路串联的管子是截止的，而电流镜是导通的，所以反相器输入为高电平。随着电阻对于串联MOS管栅极充电，串联的两路管子逐渐打开，反相器的输入为低电平。

istart_2002 · 发表于 2013-6-3 17:03:05

本帖最后由 istart_2002 于 2013-6-3 17:35 编辑

开始时候下面两路串联的管子是截止的，而电流镜是导通的，所以反相器输入为高电平。随着电阻对于串联MOS管栅 ...
天牛不唱歌发表于 2013-6-3 16:40

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就是随着AVDD的升高，n管电流超过p管电流，电平翻转；怎么把AVDD的翻转电平表示出来呢？Ictrl2=2*Ictrl1不行。（不对啊，仿真波形NM35端电压是随AVDD的升高，先低后高的~）

istart_2002 · 发表于 2013-6-4 15:53:52

本帖最后由 istart_2002 于 2013-6-4 15:59 编辑

开始时候下面两路串联的管子是截止的，而电流镜是导通的，所以反相器输入为高电平。随着电阻对于串联MOS管栅 ...
天牛不唱歌发表于 2013-6-3 16:40

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是这样的，开始右边那路CTRL2电压高，那串N管道通，左边CTRL1电压不够高，左边截止，VDD继续升高，左边一串N管导通时，PM4漏端就由低变高了。

istart_2002 · 发表于 2013-6-9 16:08:02

本帖最后由 istart_2002 于 2013-6-9 16:10 编辑

回复 2# 天牛不唱歌

上次由于软件问题，仿真波形错了，其实是PM4漏端电压先为高再拉低再上升为高，如何解释呢？（其中绿色为VDD,红色为PM4管漏端）

天牛不唱歌 · 发表于 2013-6-9 17:52:33

回复 5# istart_2002

那你把上电时间加快，底下串联的NMOS管尺寸再加大，电阻也按比例加大点，看看就明白了。

istart_2002 · 发表于 2013-6-21 16:14:10

本帖最后由 istart_2002 于 2013-6-21 16:15 编辑

回复 6# 天牛不唱歌

上电时间10m改到1m升到4V，底下串联的NMOS管W乘以2，中间的电阻也乘以2

充到500mv，被下拉，然后上升到200mv？？？？

istart_2002 · 发表于 2013-6-24 17:08:37

回复 2# 天牛不唱歌

开始的时候，电流镜为什么是导通的呢？

istart_2002 · 发表于 2013-6-24 22:08:04

回复 2# 天牛不唱歌

喔知道了

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