求有经验的高手解答OD2在tsmc 0.18um 1.8V/3.3V cmos Mixed Signal Process中的使用

jiawei2426 · 发表于 2012-12-20 10:49:05

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tsmc 0.18um 1.8V/3.3V cmos Mixed Signal Process Design Rule中介绍OD2是用来区分1.8V和3.3V Device的，其他资料中介绍说OD2既是厚氧化层，那么理论上讲，它的作用应该主要集中在cmos的gate上了，所以，layout中我只在3.3V的cmos上覆盖了OD2用来区别于另外的1.8V cmos，但是在相对应的3.3V cmos周围的guardring上并没有覆盖OD2，也就是说，1.8V&3.3V的guardring都是一样的做法（不加OD2），请问这样是否OK？会不会有什么不妥的地方？