三级管的饱和区和MOS管的饱和区的理解

cqu2ustc · 发表于 2012-11-6 22:48:44

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

这两个饱和区不是对应的，总容易给记反。这两个饱和到底指什么的饱和呀？
三极管的饱和区：Ic不随Ib的增大而增大，所以称为饱和区。
MOS管的饱和区：Ids不随Vds的增大而增大，所以称为饱和区

是这样理解吗？

求大伙指正

fashion612 · 发表于 2012-11-7 11:31:09

三极管在线性区时,Ib=B Ic, 在VCE与Ib的曲线图中,一般希望静态工作点Q落在中间
也就是落在线性区间.在饱和区,基极的电流不会在集电极端放大.在应用时我们使用
Ib进行放大.
而MOS管则不同,首先MOS管的栅极电流接近0,不会被放大.主要是沟道电流Ids由栅极电压和
沟道电压(参考ids同vgs,vds的关系式).在饱和区,忽略沟道长度调整,其Ids在饱和区就接近
恒定了,实际上不是这样的,Ids由vgs来放大,希望vds对放大的影响小,因而只有在饱和区内放大
信号是有意义的.

iWeiguo · 发表于 2012-11-8 07:35:15

楼主说得没错，可以帮助理解就可以了。
Bipolar 饱和，Vce饱和不变，BJT饱和区不可做信号放大；
MOS饱和，Ids电流饱和，长沟器件饱和时沟道夹断，短沟器件因载流子速度饱和效应，沟道连续时也可能饱和。
MOS管做信号处理时，可以工作在饱和区，也可以是线性电阻区。一般是饱和区，线性电阻区增益较小，MOS管饱和区，线性电阻区，亚阈值区，强反型区的小信号模型都是一样的，只是性能不一样。
仅供参考。

高晨阳 · 发表于 2015-9-15 10:12:13

学习了，感谢分享

guodongmalatang · 发表于 2016-9-15 12:06:00

我看EE140课程里面是这样讲的，线性区没有增益，饱和区管子相当于一个电流源，随着Vds的增大id相对于来说很flat,constant。如果管子工作在线性区就相当于一个电阻，那为什么不直接在电路中直接接入电阻呢，接mos管就没有什么意义了，基本是里面老师的原话，希望对你有帮助

我是一张答题卡 · 发表于 2016-9-19 19:11:39

可以这样理解，帮助记忆。但是以后还是尽量要从本质上理解。5L说的很好

小鸡炖蘑菇 · 发表于 2017-5-19 16:35:04

学习了，谢谢

昆仑三圣何足道 · 发表于 2019-7-17 14:25:03

学习了学习了,感激

[求助] 三级管的饱和区和MOS管的饱和区的理解

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /1