在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3942|回复: 2

[求助] BCD工艺中对称和非对称功率管的使用方法?

[复制链接]
发表于 2011-9-24 21:06:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题:
对称和非对称的管子的用法有什么区别?
发表于 2011-10-14 20:49:09 | 显示全部楼层
通常对称管事高压MOS管,比较大个,可以source/drain互换,而非对称管面积相对较小,适合做在source/drain 不用互换的场合,而且可以做W很大的功率管用。如果是LDMOS(GOX 相对更薄)是做功率管的不二选择。面积远远小于高压MOS管。
 楼主| 发表于 2011-10-17 16:51:26 | 显示全部楼层
这个是表面上,标准答案,呵呵!
我的认识是这样的,Vgs5V/Vds25V的LDMOS管,
它的Vgd的电压一般比较高可以看成是Vds的耐压

其次,对于非对称的DMOS,高压落在漏极区域,比照这个使用,一般不会出问题,呵呵
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-24 11:14 , Processed in 0.014004 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表