求教LDD结构

dorea · 发表于 2021-3-10 10:04:25

学习了

zpsjx1 · 发表于 2021-5-3 17:30:00

LDD 主要是用来改善源漏区域的电场，用于HCI improve的；如果没有HCI concern，很多减板工艺可以将这层给减掉，但是很多时候NLDD层次减不了主要就是由于NMOS HCI concern

ye456w · 发表于 2021-7-1 22:45:17

LDD注入比N+更加靠近沟道，且dose量很浅，主要是防止HCI效应

zhumingzhu · 发表于 2021-11-23 01:25:34

rainlym 发表于 2011-9-2 09:41
LDD最重要的作用还是减小源漏区和沟道区的耗尽区电场强度以提高HCI性能，其次是提高横向击穿电压（也就是防 ...

非常好，学习了

levyjiang · 发表于 2021-12-25 10:51:50

确实不错

lee_liny · 发表于 2022-11-7 16:27:07

改善热载流子的注入效应但会额外增加源漏的寄生电阻

开心快乐 · 发表于 2023-1-29 14:09:42

yuluw2004 发表于 2011-8-9 15:00
回复 5# donaldz

jia 1

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