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[求助] 为什么PMOS比NMOS阈值电压高

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cuizehan

发表于 2010-3-31 23:59:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 cuizehan 于 2010-4-1 00:09 编辑

下面是用HSPICE仿真的MOS管参数
mp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w=20 ad=100 pd=20 as=100 ps=20
mn drainn gaten Gnd Gnd nch l=2 w=8 ad=40 pd=8 as=40 ps=8

scale=0.1u

仿真结果显示PMOS具有较高的阈值电压，请问为什么？

谁能解释一下

仿真

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