【SCR】结构与【Snapback】结构问题请教---ESD

andyjackcao

各位前辈好,
SCR 于NMOS做的NPN ESD器件,都是利用击穿CMOS工艺寄生的三极管来放电,他们都与工艺相关性很大，那谁与工艺相

关性更大呢?

在SCR中,有源区上的CONTACT与阱的间距,可以采用最小间距;

在NMOS管中，Drain上的CONTACT的间距有比较严格的要求;

那我是不是可以这样理解:

利用NMOS管来做的NPN放电结构与工艺的相关性,比SCR结构对工艺的相关性更大呢?

gmj888

同感,有没有人??

piao

哪里有ESD大牛啊

ZFH1986

没效果

zhou_charles

应当是这样的！

wyliuse

两者的放电原理不一样，要具体分析。NMOS的漏拉开是为了开启均匀性。SCR可以最小尺寸，因为其放电效率高，可靠性好。

江湖人92

受教了！